薄栅介质相关论文
随着器件特征尺寸的不断缩小，栅氧化层的厚度也随之不断减小，薄栅介质的可靠性成为研究的重点之一。综述了薄栅氧器件的击穿机理......
针对功率VDMOS薄栅介质决定着其静电敏感性这一特点,建立了功率VDMOS器件的ESD瞬态模型,分析了功率VDMOS不同的抗ESD结构。结合华......
对含N薄栅MOS电容进行了Co-60γ辐照和100℃恒温退火行为的分析研究，结果表明：栅介质中N的引入，能明显抑制辐射感生Si/SiO界面态的产......
本文以高电场(＞11.8MV/cm)恒电流TDDB为手段研究了厚度为7.6、10.3、12.5、14.5nm薄氧化层的击穿统计特性.实验分析表明在加速失效......
研究了14－16nm的H2－03合成薄栅介质击穿特性。实验发现，N2O气氛氮化H2－02W合成法制备的薄栅介质能够有效地提高栅介质的零时间击穿特性......
氧化层的经时击穿是集成电路中一个非常重要的问题，从理论上分析了氧化层经时击穿的电子俘获击穿机理，给出了相关的物理模型，同时指出......
在恒压和恒流应力条件下测试了超薄栅氧化层的击穿特性，研究了TDDB（Time Dependent Dielectric Breakdown）的可靠性表征方法。对相关......
