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用Al2O3粉体与ZnO粉体均匀混合,压制成溅射靶.在Si和SiO2/Si 衬底上,用离子束增强沉积(IBED)方法对沉积膜作Ar+/N+注入,制备Al-N共掺杂氧化锌薄膜(ANZO).在氮气氛中作适当的退火,可以方便地获得取向单一、结构致密、性能良好的共掺杂ZnO薄膜.探索用IBED方法在Si和SiO2衬底上制备优质掺杂薄膜的可能性.初步研究了ANZO共掺杂薄膜的结构、电学和光学性能.