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渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究
渐变组分a—Si:H/a—SiC:H膜内部电场的研究
来源 :无机材料学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:wang525659571
【摘 要】
:
本文报导了渐变组分 a-Si∶H/a-SiC∶H 膜的制备,研究了渐变膜的电学、光学特性,用 EHT 方法对 a-Si∶H 和 a-SiC∶H 的能态密度进行了计算。提出该渐变膜是一种连续变带隙材
【作 者】
:
马瑾
韩圣浩
陆大荣
【机 构】
:
山东大学物理系,青岛大学物理系
【出 处】
:
无机材料学报
【发表日期】
:
1991年2期
【关键词】
:
A-SI:H
a-SiC:H
薄膜
渐变膜
Gradual change composition
EHT method
Electric field est
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本文报导了渐变组分 a-Si∶H/a-SiC∶H 膜的制备,研究了渐变膜的电学、光学特性,用 EHT 方法对 a-Si∶H 和 a-SiC∶H 的能态密度进行了计算。提出该渐变膜是一种连续变带隙材料,其内部存在自建电场,并从实验上确定了自建电场的方向。
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