A-SI:H相关论文
a-Si:H薄膜在加装了一圈环状热丝的WMECR-CVD系统中,通过等离子体分解SiH进行生长.与生长时无热丝辅助相比,在热丝辅助下高速生长......
本文通过实验发现生长钝化层之前使用HF 酸将硅片表面的氧化层充分漂洗掉对电池片电学性能的影响至关重要.同时,对比了SiN 膜和a-S......
The basic parameters of a-Si:H/c-Si heterojunction solar cells,such as layer thickness,doping concentration,a-Si:H/c-Si ......
In this paper, two kinds of methods of calculating the hydrogen content of a-Si:H thin film by means of the wagging mode......
氢化非晶硅薄膜（a-Si:H）是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料，在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用。然而，光......
a-Si:H薄膜已经广泛应用于太阳能电池,而且作为薄膜场效应管在电子摄像,大面积平板显示器等领域的应用也有很大进展.a-Si:H的沉积......
非晶硅（a-Si）具有特殊的光学、电学性质，并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态（主要缺陷态是悬挂键），使其在实际应用......
氢化非晶硅薄膜(a-Si:H)是近二十年来发展起来的一种新型的功能材料,在新能源和信息显示等高科技技术领域起着日益重要的作用,尤其......
氢化非晶硅薄膜(a-Si：H)已经被广泛应用于太阳能电池、薄膜晶体管(TFT)、大面积显示技术等半导体器件领域。但在光照条件下发现材料......
非晶硅(a-Si)具有特殊的光学、电学性质,并且呈现出了巨大的应用前景。但是由于它含有大量的缺陷态(主要缺陷态是悬挂键),使其在实......
降低成本、提高效率一直是太阳电池的研究重点。薄膜太阳电池大幅节省了制备原料,降低了生产成本。通过增加入射太阳光子数的......
该论文论述了一种新型非晶硅TFT--非晶硅肖特基表面栅静电感应薄膜晶体管(简称为a-Si:H SSGSIT)的制备方法.为了研制出性能优良的a......
Numerical simulation of the effect of the free carrier motilities on light-soaked a-Si:H p-i-n solar
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 ......
该文从挂篮荷载计算、施工流程、支座及临时固结施工、挂篮安装及试验、合拢段施工、模板制作安装、钢筋安装、混凝土的浇筑及养生......
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非......
INVESTIGATION OF CHARGE INTENSIFICATION EFFECT IN a-Si:H BY MEANS OF PHOTOELECTRIC SENSITIVITY METHO
The photocurrent-voltage characteristics and photoelectric sensitivity of a-Si:H samples with slit and comb electrodes a......
<正> 目前,主要流行的两类微观机制模型——“负有效相关能模型”和“断键模型”——都表明a-Si:H的光诱导变化与其微观结构有关.......
全文描述了各种非晶固体光敏传感器技术以及它们的结构、工作原理和应用.本文主要介绍a-Si:H(氢化非晶硅)图像传感器、μc-Si:H (......
本文介绍了一种成本低廉、灵敏度高的新型氢化非晶硅(a-Si:H)薄膜温度传感器的工作原理、样品结构和制备方法。同时还报导了作者对......
本文用逐层淀积法制备了ａ－Ｓｉ：Ｈ薄膜，研究了生长速率、子层厚度及氢等离子体处理对薄膜性质的影响，结果指出：不同条件下的氢等离子体处理不仅......
我们提出一种新型的表面肖特基栅的a-Si∶H静电感应晶体管.这种管子制备工艺简单,界面特性良好.计算机模拟结果表明,隙态密度和沟......
采用XPS技术和相应的化学位移理论及谱峰拟合方法研究了a-Si∶H薄膜。本文报道了含氧a～si∶H中可能出现和存在的不同化学构态,深度......
本文报导了用低温等离子体法使ａ－Ｓｉ：Ｈ表面活化，经多步化学反应，将３种菁键合于其表面，并经激光拉曼光谱和Ｘ－光电子能谱表征。测定了键合染料的ａ－Ｓｉ：Ｈ的......
如何提高ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池的转变效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Ｇｌａｓｓ／ＩＴＯ／ＴｉＳｉ２／ｐｉｎ／Ａｌ双层前电极ａ－Ｓｉ：Ｈ太阳电池，通过老化处理后发现，这种新......
采用等离子化学气相淀积方法，改变ＳｉＨ４和Ｈ２Ｏ的流量比制备含有不同氧浓度的ａ－Ｓｉ：Ｈ，薄膜，用离子注入方法掺入铒，经３００－９３５℃快速热退火，在波长１．５４μｍ处观察到很强的......
a-Si:H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容，实验研究表明它并不能完全表征TFT的寄生效应，研究发现由栅极和源极形成的电场的电力......
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响......
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响......
本文研究由氮(N)、硼(B)以及卤素(X)元素掺杂的 a-Si∶H 膜在静电场下的光电特性.实验结果表明,(B+N)、(B+X)双元素掺杂比单元素更......
为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了......
为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了......
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅（n<sup>+</sup>a-Si∶H）作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/......
测量了缝电极和梳形电极ａ－Ｓｉ：Ｈ样品的光伏安特性和光电灵敏度，撮由光电灵敏度计算电荷放大增益的方法，由此法测现的ａ－Ｓｉ：Ｈ的电荷放大增益，在１０＾５Ｖ／ｃｍ电场下......
本文报导了渐变组分 a-Si∶H/a-SiC∶H 膜的制备,研究了渐变膜的电学、光学特性,用 EHT 方法对 a-Si∶H 和 a-SiC∶H 的能态密度进......
本文着重对微波等离子体化学气相沉积法高速沉积的 a-Si∶H 膜的物理性能进行评价研究.测量了沉积膜的光电性能、暗电导激活能、光......
本文研究了 a-Si∶H 及 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光的某些性质。实验研究表明,a-Si∶H 及其多层膜的光致发光峰值能量强烈......
Hazy backside gettering of boron-doped 【111】 siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (......
Hazy backside gettering of boron-doped 【111】 siljcon wafer with a-Si: H film deposited by rf glowdischarge technique (......
氢化非晶硅具有半绝缘、富含氢和电中性等特点。本文概述了非晶硅的表面钝化工艺及其钝化效果,对其钝化机理也进行了讨论.......
本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ<sub>GS</sub>与表面电势φ<sub>S</sub> 关系的新方法,分析其转移特性和输出......
非晶硅薄膜的高速沉积是非晶硅太阳电池低成本,大规模生产和推广应用的关键技术之一.我们采用预热反应气体.在小的射频功率流密度......
用热丝辅助微波电子回旋共振化学气相沉积制备样品,通过红外吸收谱图和光衰退图,分析影响a-Si:H薄膜光衰退稳定性的因素:一方面,非......
我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条......
一、“利用辉光介质阻挡放电沉积多种功能性薄膜”（编号：10405005）项目主持人：刘东平利用介质阻挡放电在沉积DLC薄膜方面的优势，将该方......
本文报道玻璃衬底 a-Si∶H pin 二极管的制备与光敏特性及其有关的测试装置和方法。该二极管在可见光区域响应度高、线性度好、响......
本文分析了扩散型或漂移型或具有电荷放大效应的光阴极的量子效率。提出了具有内场或外场的a-Si∶H光电发射模型。其结构是p-i-n a......
