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利用CVD蒸汽俘获法,在p^+硅片上制备了垂直生长的n型ZnO纳米线阵列,用XRD和SEM分析了样品的结构与形貌。测试发现样品的I-V曲线符合典型的p-n异质结特性,正向开启电压为0.5V,反向饱和电流为0.02mA。计算了异质结的理想因子η,发现当异质结两端偏压在0V-0.3V的低压区域,理想因子为1.85,而在0.3v-0.8v的高偏压区域,理想因子为8.36。解释了理想因子偏高的原因是由于金属一半导体接触以及ZnO纳米线与p^+-si界而存在缺陷。