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采用放大单元的方法研究了表面放电结构、对向放电结构和新型荫罩式等离子体显示屏(SMPDP)的放电过程。分别制作了放大倍数为40的表面放电结构、对向放电结构和荫罩式结构PDP的放大单元。建立了放大单元的光辐射特性测试系统,采用高速ICCD拍摄了相应结构的放电过程并分析研究了各自的放电特性。结果表明,SMPDP的放电过程为非均匀场中的对向放电过程,具有较表面放电结构和对向放电结构更优越的放电性能。