【摘 要】
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在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350~750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X
【机 构】
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东北师范大学物理系理论物理研究所,中国科学院长春光学精密机械与物理研究所激发态物理重点实验室
【基金项目】
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国家高技术研究发展计划(863计划),国家自然科学基金,国家自然科学基金,中国科学院知识创新工程项目
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在Si(111)衬底上利用等离子体辅助分子束外延(P-MBE)生长氧化锌(ZnO)薄膜,研究了在不同衬底生长温度下(350~750℃)制备的ZnO薄膜的结构和光学性质.随着衬底温度的升高,样品的X射线及光致发光的半高宽度都是先变小后变大,衬底温度为550℃样品的结构及光学性质都比较好,这表明550℃为在Si(111)衬底上生长ZnO薄膜的最佳衬底温度;同时,我们还通过550℃样品的变温光致发光谱(81~300K)研究了ZnO薄膜室温紫外发光峰的来源,证明其来源于自由激子发射.
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