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用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜（SEM）和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装成了纳/微米ZnO同质结器件,分析研究了这些器件的I-V特性,并对I-V特性变化规律进行了分析讨论。
纳/微米ZnO同质结器件的制备及电子学特性研究
【摘 要】
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用低压化学气相沉积法制备了T形和V形纳/微米ZnO同质结,用扫描电子显微镜（SEM）和高倍光学成像显微镜观察了同质结的结构与生长形貌,分析了其结构及生长机理。利用ZnO同质结组装
【机 构】
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辽宁师范大学物理与电子技术学院
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2007年11期
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