论文部分内容阅读
在引进的韩国微波等离子化学气相沉积（MPCVD）设备中，利用氢气和甲烷作为气源，在单面抛光的（100）单晶硅片上研究了不同的形核温度和生长温度条件下制备出金刚石薄膜。通过Raman光谱、XRD光谱和扫描电子显微镜（SEM）对制备的金刚石膜的质量进行表征。研究结果表明，形核温度和生长温度对金刚石膜的生长均有影响。形核温度过低会增大薄膜中的非金刚石相的含量，促使二次形核增加，降低了金刚石薄膜质量。随着生长温度的升高，金刚石中非金刚石相含量越少，金刚石的质量提高，但金刚石的晶面同时也被大量刻蚀。