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研究了Ta的阳极氧化反应动力学,用自制装置有效地控制用于非晶硅薄膜晶体管(a-SiTFT)的复合栅绝缘层Ta2O5厚度,膜质均、性能优良,使用复合栅绝缘层A-SiTFT的开启电压(VT)控制中3-5V之间,开关电流比(Ion/off)大于10^7,场效应迁移率为0.96cm^2/V.S。