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英飞凌科技股份公司(FSE/NYSE:IFX)近日宣布推出三个全新的功率半导体系列,进一步丰富广博的OptiMOSTM3N沟道MOSFET产品组合。OptiMOS340V、60V和80V系列可在导通电阻等重要功率转换指标方面提供业内领先的性能,使其能够在采用标准TO(晶体管外形)封装的条件下,降低30%的功耗。OptiMOS340V、60V和80V系列具备较低的开关损耗和导通电阻,与其他竞争性解决方案相比,可增加高达30%的功率密度,使相关应用的组件数降低25%以上。