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LPCVD制备的氮化硅薄膜具有良好的阶梯覆盖性，但是这种薄膜的应力偏高，在石英工艺腔管使用到8μm后易形成剥落微粒。特别是半导体工艺发展到了亚微米阶段，这一问题对于产品良率的影响也越来越大。文中以垂直式LPCVD设备为研究对象，通过利用晶圆冷却时间，运用降低工艺腔体温度并使用N2Purge的方法来改善微粒状况。通过大量对比实验来得出最优温度设定。运用这种方式不但改善了LPCVD设备制备氮化硅膜的微粒状况，还延长了设备的维护周期，增加设备利用时间。