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本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题,并介绍了近来这些SiGe外延技术的改进,最后从器件角度对以上几种工艺特性进行了比较.
硅基高频器件与SiGe外延技术
【摘 要】
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本文描述了应用于SiGe外延的分子束外延(MBE)、超高真空化学气相沉积(UHV/CVD)、常压化学气相沉积(APCVD)、快速热化学气相沉积(RTCVD)等几种工艺及这几种工艺中的常见问题,
【机 构】
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浙江大学硅材料国家重点实验室、纳米科技中心
【出 处】
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世界科技研究与发展
【发表日期】
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2004年3期
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