RTCVD相关论文
研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶。利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法,在低成本的Al_2O_3衬底上沉积了重掺杂的致......
使用快速热化学气相沉积(RTCVD)系统在石英衬底上制备了多晶硅薄膜,并利用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(......
陶瓷衬底上的多晶硅薄膜电池是一种以降低成本为目标的新型太阳电池,具有很好的应用前景.薄膜的制备是薄膜电池制备中的重要步骤之......
采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法在Si-SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究,属国内首次.采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积......
研究了影响单晶硅衬底的多晶硅薄膜太阳电池转换效率的因素,得到该种电池的快速热化学汽相沉积(RTCVD)的最佳条件.同时改进了制备......
Poly-crystalline silicon thin film has big potential of reducing the cost of solar cells.In this paper the preparation o......
以工业硅粉为原料制备出颗粒硅带(SSP),对颗粒硅带表面形态进行分析.以SSP为衬底,采用快速热化学气相沉积(RTCVD)法生长多晶硅薄膜......
研究了陶瓷衬底上多晶硅薄膜的生长和区熔再结晶。利用快速热化学气相沉积(RTCVD)方法，在低成本的Al2O3衬底上沉积了重掺杂的致密多......
报道了快速热化学气相沉积（ＲＴＣＶＤ）工艺制备多晶硅（ｐｏｌｙ－Ｓｉ）薄膜及电池的实验和结果。采用ＳｉＨ２Ｃｌ２作为原料气体，衬底温度为１０３０℃时，薄膜的生长速率为１０ｎｍ／ｓ。发现薄膜的......
在重掺杂非活性单晶硅片上生长一定厚度的SiO2,开窗口后作为衬底,利用快速热化学气相沉积(RTCVD)及区熔再结晶(ZMR)方法制备多晶硅......
采用快速热化学气相沉积（RTCVD）法在Si—SiC陶瓷衬底上直接沉积多晶硅薄膜的研究，属国内首次。采用SEM和XRD两种测试方法分析了沉积外......
采用简化的区熔再结晶工艺,即区熔过程中不采用隔离层和盖帽层结构,直接在陶瓷衬底上制备出高质量的多晶硅薄膜.实验中给出了用X射......
