【摘 要】
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本文报导了一种ＡｇＧａＳｅ２生长工艺，可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质，结合一项改进的坩埚镀碳技术，提高了生长优质ＡｇＧａＳｅ２单晶的成品率。文中还给出了晶体样品的红外观测，红外透过光谱和光电流
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本文报导了一种ＡｇＧａＳｅ２生长工艺，可有效地从熔体中排出非凝聚气相杂质，结合一项改进的坩埚镀碳技术，提高了生长优质ＡｇＧａＳｅ２单晶的成品率。文中还给出了晶体样品的红外观测，红外透过光谱和光电流谱，以及可调谐ＴＥＡＣＯ２激光倍频的实验结果。
This paper reports an AgGaSe2 growth process that effectively removes non-condensing gas phase impurities from the melt and, in combination with an improved crucible carbon plating technique, increases the yield of high quality AgGaSe2 grown single crystals. In addition, the experimental results of infrared observation, infrared transmission spectrum and photocurrent spectrum of crystal samples and the laser doubler tunable TEACO2 are given.
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