单晶α-Si3N4纳米线宏量制备研究

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本研究提出了一种宏量制备单晶α-Si3N4纳米线的方法。以造粒硅粉为原料,通过在N2-H2混合气氛中直接氮化,得到具有核壳结构的氮化产物(Si3N4纳米线@多孔Si3N4微米粉体),氮化产物经过破碎、研磨、分离后即可获得Si3N4纳米线。检测结果表明,制备的Si3N4纳米线直径为80~150nm,长径比为20~50,其中纳米线含量>95wt%,α相/β相比为17.6,收率为3.1%。进一步研究表明,原料中微量Fe元素在还原气氛下具有催化作用,纳米线由典型的气–液–固(VLS)生长机制控制。实验中对原
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