【摘 要】
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用射频/直流磁控溅射法制备了Ta/NiOx /Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜, 并利用X射线光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81F
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用射频/直流磁控溅射法制备了Ta/NiOx /Ni81Fe19/Ta和Co/AlOx/Co磁性薄膜, 并利用X射线光电子能谱(XPS)和振动样品磁强计(VSM)研究了Ar/O2比与NiOx化学状态以及Ta/NiOx/Ni81Fe19/Ta薄膜磁性之间的关系. 结果表明: 当溅射气压为0.57 Pa, Ar/O2为7︰1时, 制备的NiOx中的x @ 1, 镍为+2价, 相应的交换耦合场(Hex)最大; Ar/O2比偏离7︰1时, NiOx层中出现单质镍和+3价的镍, 相应的Hex也下降, 单质镍的出现还会增大该磁性薄膜的矫顽力(Hc). 用XPS还研究了Co/AlOx/Co磁性薄膜中AlOx对Co膜的覆盖状况, Al层将Co膜完全覆盖所需要的最小厚度约1.8 nm, 采用角分辨XPS方法测出的Al的氧化物为Al2O3, 氧化厚度为1.2 nm.
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