【摘 要】
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简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理，从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响。采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通
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简述了功率MOSFET的结构特点及工作原理，从理论上分析了温度对阈值电压、跨导、导通电阻、漏极饱和电流及击穿电压等关键参数的影响。采用ISE软件模拟了不同温度下器件的导通特性和阻断特性，给出了这些参数随温度变化的曲线。最后，分析了温度对功率MOSFET安全工作区的影响，为功率MOSFET的设计和使用提供了参考。
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