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文章简单回顾了氮化镓基雪崩光电二极管的发展现状，从制作高响应率、低漏电流的雪崩器件出发，详细阐明了制作氮化镓基雪崩光电二极管的工艺过程，特别考虑了干法刻蚀带来的物理损伤以及后续的消除损伤处理。由于雪崩器件对于材料的质量具有较苛刻的要求，因此特别对材料进行了必要的筛选。通过一系列工艺上的改进，成功地制作出国内第一只氮化镓基雪崩光电二极管，器件的光敏面直径是40μm；并对其进行了光电性能测试。测试结果表明，当反向偏压是58V时，漏电流大约是1．18×10^-7A，雪崩增益是3。