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期刊论文
3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究
3毫米波段低噪声GaAs PHEMT研究
来源 :半导体情报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zk0529
【摘 要】
:
阐述了毫米波段低噪声GaAsPHEMT课题的研究过程,报道了研究结果,研制出的器件最高振荡频率超过150GHz这是国内第一个频率进入3毫米波段的半导体三端有源器件,在Ka波段有优良的噪声和增益性能。
【作 者】
:
朱国良
袁明文
【机 构】
:
电子部第13研究所
【出 处】
:
半导体情报
【发表日期】
:
1996年4期
【关键词】
:
毫米波段低噪声
高电子迁移率
砷化镓
PHEMT
Low noise in mm band
High electron mobility
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阐述了毫米波段低噪声GaAsPHEMT课题的研究过程,报道了研究结果,研制出的器件最高振荡频率超过150GHz这是国内第一个频率进入3毫米波段的半导体三端有源器件,在Ka波段有优良的噪声和增益性能。
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