阐述了毫米波段低噪声ＧａＡｓＰＨＥＭＴ课题的研究过程，报道了研究结果，研制出的器件最高振荡频率超过１５０ＧＨｚ这是国内第一个频率进入３毫米波段的半导体三端有......