【摘 要】
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ZnO∶Ga（GZO）透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良好的欧姆接触对功率LED器件至关重要。为了
【机 构】
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上海大学新型显示及应用集成教育部重点实验室,上海大学机电工程与自动化学院
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ZnO∶Ga（GZO）透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良好的欧姆接触对功率LED器件至关重要。为了降低接触势垒,采用盐酸和氢氧化钠溶液对GaN表面进行去氧化层处理,并对p-GaN/GZO进行退火处理,研究表面处理和退火对p-GaN/GZO接触特性的影响。研究表明：碱性溶液处理有利于降低接触势垒;退火处理后,接触势垒略有增加。
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