【摘 要】
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1 GaN的晶体生长1928年由W.C.Johnson,J.B.Parsons和M.C.Grew第一次制成晶体,在NH3的气氛中Ga生成了晶体GaN.2 Ga+2NH3→2GaN+3H2此合成的报道见于Journal of
Crystal Growt
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1 GaN的晶体生长1928年由W.C.Johnson,J.B.Parsons和M.C.Grew第一次制成晶体,在NH3的气氛中Ga生成了晶体GaN.2 Ga+2NH3→2GaN+3H2此合成的报道见于Journal of
Crystal Growth of GaN The crystals were first made by W.C. Johnson, J.B.Parsons and M.C.Grew in 1928 and Ga was grown in the atmosphere of NH3. GaN.2Ga + 2NH3 → 2GaN + 3H2 This synthesis is reported in Journal of
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