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在国产分子束外延设备的基础上,利用新型阀控裂解As源炉,对AS2和AS4的生长特性进行了全面的研究,以AS2和AS2两种模式,在(001)InP衬底上生长了高质量的InAsP体材料和InAsyP1-y/InP多量子阱样品,材料质量用X射线衍射(XRD)以及室温和低温的光致发光(PL)测定,实现发现,两种模式生长的样品的晶体结构质量相当,但AS2的吸附系数明显大于AS4的吸附系数,另外,用AS2模式生长的多量子阱样品的室温光学特性优于AS4模式生长的样品,但在低温时,二者几乎相同,这是由AS4较为复杂的生长