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给出典型大容量静态存储器（SRAM）的多位翻转实验研究结果，用HI－13串列型静电加速器和兰州重离子加速器（HIRFL）加速的重离子轰击样品，用一套基于网络协议的高分辨率SRAM单粒子效应检测系统检测发生的多位翻转，实验结果表明多位翻转可以由多种机制产生：在两种Hitachi SRAM中检测到的同一字节多位翻转（SMU）是由单个离子产生的电荷被相邻敏感节点共享所致；当IDT71256中写入测试图形“00”时，其外围电路中产生的单粒子瞬时脉冲（SET）引起多达8位的SMU，离子大角度掠射下，IDT71256