量子阱GaAs太阳电池的质子辐射效应

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:HEXINLONG19871006
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用I-V特性、光谱响应和深能级谱分析辐射效应,分析了1×10^9~2×10^13cm^-2,2MeV质子辐照量子阱GaAs太阳电池.结果表明,随辐照注量增大,电池,Isc,Voc,Pmax衰降程度增加;相同的注量,Pmax衰降程度最大.当注量大于3×10^12cm^-2时,Isc衰降程度比Voc的大;当注量小于3×10^12cm^-2时,Voc衰降程度比Isc的大;在900~1000nm波长范围内,2×10^13cm^-2辐照使量子阱光谱响应特性消失.这与
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