【摘 要】
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<正> 二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生长技术一分子束外延（MBE）。分子束外延与气相
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<正> 二、引言在现代的科学技术中,随着微波器件、光电器件和光通讯的发展,特别是集成光学的提出,近几年新发展起来一种新的晶体生长技术一分子束外延（MBE）。分子束外延与气相外延（VPE）和液相外延（LPE）不同。它是在超高真空下(1010乇)进行生长,加之装有一些控制设备和分析仪器,可以精确地控制结晶生长,同时还可以进行现场观察和研究结晶生长过程,又能精确地控制生长薄膜的均匀性和厚度,并能进行多种掺杂。用MBE能生长数埃至几个微米厚的高质量单晶薄膜,而用VPE和LPE目前都难以达到。由于上述特点,MBE特别适用于微波器件、光电器件和集成光路的研制,它是一种较为复杂的综合性先进技术。MBE是在蒸发工艺基础上发展起来的。然而MBE作为晶体生长技术是1969年由贝尔实验室J.R.Arthur和A.Y.Cho等人提出的,当时MBE还不完善,但是它的发展速度是相当快的。特别是最近几年,在基础理论和应用方面的研究都很活跃,MBE日
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