【摘 要】
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考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少
【机 构】
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考虑了重掺杂引起的禁带变窄效应,建立起少数载流子室温和低温模型,并进行了定量的计算。研究发现,p-Si1-xGex中的少子浓度(电子)随x的增加而增加。在重掺杂条件下,常温时,少子浓度随杂质浓度的上升而下降;而低温时,少子浓度却随杂质浓度的上升而上升。
Considering the band gap narrowing effect caused by heavy doping, a model of room temperature and low temperature of minority carriers was established and a quantitative calculation was made. The study found that the low concentration of p-Si1-xGex (electrons) increases with increasing x. Under heavy doping conditions, at room temperature, the minority carrier concentration decreases with the increase of impurity concentration, while at low temperature, the minority carrier concentration increases with the increase of impurity concentration.
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