a-Si∶H磷掺杂机理

来源 :固体电子学研究与进展 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ABCDEFGHIJKLMN100083
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Street的自动补偿模型不是a-Si:H中磷掺杂的唯一机理,它略去了带尾态电子密度nBT,实际上相当于略去了其他掺杂机理对掺杂的贡献。Winer et al的磷杂质结合模型,可以推广到nBT≠0情形,其反应常数仍满足Henry定律。磷掺杂固相效率和磷结合系数可以同时表示成磷气相浓度的明显的解析函数,其计算结果与实验曲线及其外推均相一致。
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