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本文研究了两个以ＰＺＴ陶瓷为基的系统：ＰＺＴ（Ｎｂ）和ＰＳＺＴ陶瓷在铁电－反铁电相界区域的压电和机电耦合等性能。结果表明，ＰＺＴ基陶瓷在该相界处具有高Ｋｔ和低Ｋｐ的性质。压电和机电耦合各向异性也比准同型相界要高，│ｄ３３／ｄ３１│〉５．５，Ｋｔ／Ｋｐ〉３．０。借助于电场诱导ＡＦ→Ｆ相变和反铁电双子晶格间的强耦合作用，对此现象作了较好解释。