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针对常规双极功率晶体管（ＢＰＴ）中存在的高频、高电流增益和高ＣＥ击穿电压间的固有矛盾，基于一新工艺提出了一种新型的双极功率器件──ＢＳＴ（ＢａｓｅＳｈｉｅｌｄｉｎｇＴｒａｎｓｉｓｔｏｒ）结构。分析了ＢＳＴ夹断后的两维电场解析解，可知深Ｐ＋多晶硅基区的引入对有源Ｐ基区产生明显的电场屏蔽效应，该基区屏蔽效应随Ｐ＋基区深入Ｎ－区中的深度Ｌ的增加以及相邻Ｐ＋基区间距２Ｄ的减小而增强。正是这种基区屏蔽效应，使得ＢＳＴ的特征频率ｆＴ、电流增益ｈｆｅ和ＣＥ击穿电压ＢＶｃｅ０都较常规ＢＰＴ大为提高，较好地解决了常规ＢＰＴ