GaAs／AlAs超晶格室温下的输运机制及自维持场畴振荡

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：tta86

【摘要】

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在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦全掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平以上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡，观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ，这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围１４～３００Ｋ内始终存在，经分析发现，由

【作者】

：

武建青江德生

【机构】

：

中国科学院半导体研究所

【出处】

：

半导体学报

【发表日期】

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1998年10期

【关键词】

：

砷化镓砷化铝超晶格场畴振荡 Crystal lattices Electron tunneling Oscillations

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在ＧａＡｓ／ＡｌＡｓ（１０ｎｍ／２ｎｍ）弱耦全掺杂超晶格Ｉ－Ｖ曲线的第一个平以上，我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡，观测到的最高振荡频率可达１４２ＭＨｚ，这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围１４～３００Ｋ内始终存在，经分析发现，由于垒层仅有２ｎｍ，电子隧穿通过垒层的几率很高，相比之下，电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多，在温度低于３００Ｋ时，超晶格内的纵向输运机制是级联并共振隧穿

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