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在GaAs/AlAs(10nm/2nm)弱耦全掺杂超晶格I-V曲线的第一个平以上,我们首先观测到了直流偏压下的室温微波振荡,观测到的最高振荡频率可达142MHz,这种由级联隧穿引起的振荡在测试温度范围14~300K内始终存在,经分析发现,由于垒层仅有2nm,电子隧穿通过垒层的几率很高,相比之下,电子越过势垒而产生的热离子发射电流要小得多,在温度低于300K时,超晶格内的纵向输运机制是级联并共振隧穿