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碳化硅（SIC）是第三代宽禁带半导体材料，在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体，H2为载气，采用化学气相沉积法，利用气-液-固（VLS）生长机理，同质外延6H—SiC薄膜。结果表明，VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管，但是由于n（C）／n（Si）较大，薄膜表面存在大量的台阶。为了进一步改善薄膜表面形貌，采用“两步法”工艺外延SiC薄膜，在封闭微管的同时提高了表面平整度，得到了质量较好的6H—SiC外延薄膜。