【摘 要】
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报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的“Λ”型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿
【机 构】
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天津工业大学信息与通讯学院,天津大学电子信息工程学院,
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报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的“Λ”型负阻I-V特性和较宽的平坦谷值区。具体讨论了湿法腐蚀进行隔离台面,磁控溅射制作电极,快速热退火制作源漏低阻的欧姆接触等工艺步骤。器件的主要负阻参数PVCR可达10,对所研制的RSTT的负阻机制进行了初步探讨。
Reported on the GaAs substrate, the use of δ-doped GaAs / InGaAs dual channel structure, the successful development of a double channel real space transfer transistor (RSTT), which has a typical RSTT “Λ ” type negative resistance IV characteristics And wider flat valley area. Specific discussion of the wet etching for isolation of mesa, magnetron sputtering electrodes, rapid thermal annealing source and drain low resistance ohmic contact process steps. The main negative resistance of the device PVCR up to 10, the RSTT developed by the negative resistance mechanism were discussed.
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