报道了在GaAs衬底上,采用δ掺杂GaAs/InGaAs双沟道结构,成功地研制出双沟道实空间转移晶体管(RSTT),它具有RSTT典型的“Λ”型负阻......

报道了在GaAs衬底上，采用δ掺杂GaAs／InGaAs双沟道结构，成功地研制出双沟道实空间转移晶体管（RSTT），它具有RSTT典型的“∧”型负阻，I-V特......

实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度.文中阐述了实......

实空间转移晶体管是一种新型N型负阻半导体器件,具有高频、高速、可控负阻等显著优点,可大大简化集成电路的复杂程度。本论文通过......

提高集成度,发展新型器件是当前集成电路发展的一个重要方向。实空间转移晶体管RSTT具有高频、高速、可控负阻等特性,且可与HEMT或......