【摘 要】
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介绍了两种适于毫米波应用的RF MEMS实时延时线的设计.首先,在设计中采用了一种新颖的RF MEMS拓宽调节范围的变容器结构,得到了最大变容比为5.39的在片测试结果.其工艺设计基
【机 构】
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杭州电子科技大学,电子信息学院,微电子CAD所,杭州,310018
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介绍了两种适于毫米波应用的RF MEMS实时延时线的设计.首先,在设计中采用了一种新颖的RF MEMS拓宽调节范围的变容器结构,得到了最大变容比为5.39的在片测试结果.其工艺设计基于表面微机械工艺,采用了由5个掩模版组成的工艺流程.然后,在RF MEMS变容器设计的基础上,完成了用于原理论证的Ka波段RF MEMS实时延时线的仿真设计、工艺流片和在片测试.Ka波段RF MEMS实时延时线的在片测试结果显示,在28 GHz时处于下降状态的插入损耗为-2.36 dB;两端口在28 GHZ时的回波损耗都小于-15 dB,而在5～40 GHz的整个测试频率范围内的回波损耗都小于-10 dB.在Ka波段RF MEMS实时延时线设计基础上,60 GHz RF MEMS实时延时线的仿真设计已经完成并准备投片.
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