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φ 2 00 公里硅单身者晶体在φ 4 被种 50 公里 aCzochralski (CZ ) 的热地区炉子。由修改模式和氩流动的速度，有不同的氧集中的硅壁炉晶体被获得。通过数字模拟，氩气体流动的速度第一次被阴谋。实验结果被分析，有最低的氧集中的氩流动的最佳条件被获得。
Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth
【摘 要】
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φ 2 00 公里硅单身者晶体在φ 4 被种 50 公里 aCzochralski (CZ ) 的热地区炉子。由修改模式和氩流动的速度，有不同的氧集中的硅壁炉晶体被获得。通过数字模拟，氩气体流动的
【机 构】
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SchoolofMaterialScienceandEngineering,HebeiNingjinJinglongSemiconductorFactory,YunnanSemiconductorDe
【出 处】
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稀有金属：英文版
【发表日期】
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2006年1期
【基金项目】
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This project is financially supported by the National Natural Science Foundation of China （No. 60576002）.
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