CZSI相关论文
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅（ＣＺＳｉ）在温度３５０℃～５５０℃等时退火后的光致发光谱（ＰＬ谱）。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激发峰强度增加，ＰＬ谱随着锗浓......
在退火处理时，Ｇｅ 易与Ｓｉ 中Ｏ 形成易挥发的ＧｅＯ 复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ 挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ 增强了氧的外......
讨论了CZSi中氧的四类行为:(1)由石英坩埚中直拉法生长晶体时氧的行为;(2)间隙氧的本征行为,例如扩散等;(3)亚稳结构,有O-V_(si),......
直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况。研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。
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随着科学的飞速发展，出于提高生产率、降低成本的目的，器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后，大熔硅体......
Influence of Isovalent Impurity Ge on Nucleation and Morphology of Supersaturated Oxygen Precipitate
The effects of Ge in CZSi on the density and the rate of nucleation of supersaturated oxygen precipitation at lower anne......
Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth
φ200 mm silicon single crystals were grown in the φ450 mm hot zone of a Czochralski (CZ) face. By modifying the patt a......
在大直径CZSi单晶生长时 ,热场与氩气流场通过影响晶体与熔体的温度分布来影响硅单晶中缺陷的形成 .通过变单晶炉的普通热系统为以......
The pulling rate in czochralski silicon (CZSi) growth is important for reducing the cost of solar cell.In this paper, do......
During large diameter Czochralski silicon growth, heat zone and argon flow influence the formation of defects in silicon......
为了降低大直径CZSi单晶生长过程中氧的引入,采用不同的热场,通过最优化方法,得到了适于大直径(154mm)晶体生长的热场温度分布,使......
中子嬗变掺杂直拉硅单晶在１０５０－１１００℃６ｈ退火时，体内产生以较大辐照缺陷为核心的氧沉淀和衍生的二次缺陷。光致发光在０．７６－１．０００ｅＶ范围出现了ＰＬ峰，而非中照的ＣＺＳｉ在......
通过傅立叶红外光谱仪（FTIR）技术研究了由快中子辐照直拉硅中引入的辐照缺陷——双空位（V2）退火行为，主要研究了不同中子辐照剂量对双空......
本文利用化学腐蚀、扩展电阻探针、透射电镜和电子探针等研究了氮气氛直拉硅的本征吸杂。经高——低——高三段热处理可获得比较完......
在退火处理时，Ｇｅ易与Ｓｉ中Ｏ形成易挥发的ＧｅＯ复合体，使硅片表面洁净区的形成受氧的外扩散和ＧｅＯ挥发两种因素制约。即从效果上看，Ｇｅ增强了氧的外扩散，有......
用直径18英寸复合式热系统生长了直径200mm的太阳能CZSi单晶,计算机数值模拟分析表明,该热系统能降低熔硅纵向温度梯度,从而有效抑......
本文分析了掺氮的CZ硅中与氮有关的七条红外吸收峰的形成,指出所谓的“氮氧复合物”实质上是在氮对-硅四面体基础上发展而成的氮对......
用傅里叶红外光谱、透射电镜和化学腐蚀研究了氮气氛直拉硅(NCZSi)中的氧沉淀。结果指出,原生NCZSi中存在氧对-硅-氧复合物;N集中......
ＭＡＴＨＥＭＡＴＩＣＡＬＭＯＤＥＬＯＦＯＸＹＧＥＮＯＵＴＤＩＦＦＵＳＩＯＮＯＮＬｉｕＲｏｎｇ；Ｃｈｅｎｇ，ＱｉｕｐｉｎｇＬｉ；ＹｉｄｏｎｇＳｈｅＳｉｍｉｎｇ（ＣｅｎｔｒａｌＳｏｕｔｈＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＴｅｃｈｏｌｏｇｙＣｈｎｇｓｈａ４１００８３.........
通过实验分析了大直径直拉硅片中间隙氧含量对原生新微缺陷的影响，并对具有不同间隙氧含量的硅片进行热处理实验。结果发现间隙氧含......
在适当温度退火时，中子嬗变掺杂的ＣＺＳｉ中产生的大量亚稳态辐照缺陷在奶火过程中会增强氧的外扩散在沉淀。根据ＣＺＳｉ中热施主与电阻率的关系，利......
用光激电流法研究了Ｇｅ作为杂质掺入到Ｓｉ中可能引入的深能级，发现掺锗量小于或等于１．０ｗｔ％（重量比）时，不会在ＣＺＳｉ中引入与锗有关的深能级；锗的引入硅中点......
通过对406mm热场中氩气的流动方式及流速进行调整，得到了氧碳含量不同的硅单晶，并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来，对实验结果......
研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快......
研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快......
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响．实验结果发现，掺入半径较大杂质原子的硅片，空洞......
研究了掺杂剂原子种类及快速热处理技术对大直径直拉硅单晶中空洞型微缺陷密度的影响．实验结果发现，掺入半径较大杂质原子的硅片，空洞......
直拉硅单晶中掺入等价元素锗可以有效地抑制氧施主，提高硅片机械强度，改善氧沉淀的状况，研究了锗的最低有效浓度并探讨了其机理。......
CZSi中掺入等价元素锗，能影响低温退火时氧沉淀过饱和成核的成核速率与密度。在700℃退火时，抑制杆状氧沉淀的生成，在900℃退火时，锗对......
Effects of argon gas flow rate and guide shell on oxygen concentration in Czochralski silicon growth
φ 2 00 公里硅单身者晶体在φ 4 被种 50 公里 aCzochralski (CZ ) 的热地区炉子。由修改模式和氩流动的速度，有不同的氧集中的硅......
The pulling rate in czochralski silicon (CZSi) growth is important for reducing the cost of solar cell.In this paper, do......
测量了掺锗ＣＺＳｉ中锗的纵向分布形式，发现硅中锗的分布是头部低尾部高，其有效分凝系数Ｋｅ≈０．６６±０．０１。......
本文研究了掺有不同浓度锗的直拉硅在温度３５０℃－５５０℃等时退火后的光致发光谱。结果发现：杂质锗使硅材料的本征激光峰强的增加，ＰＬ谱随着锗浓度......
讨论了CZSi中氧的四类行为:(1)由石英坩埚中直拉法生长晶体时氧的行为;(2)间隙氧的本征行为,例如扩散等;(3)亚稳结构,有O-V_(si),......
通过对 40 6 m m热场中氩气的流动方式及流速进行调整 ,得到了氧碳含量不同的硅单晶 ,并通过数值模拟计算将氩气流线图描绘出来 ,......
随着科学的飞速发展,出于提高生产率、降低成本的目的,器件厂家随着生产规模的扩大逐步要求增大硅片直径。硅单晶直径增大后,大熔......
对国产TDR-80型单晶炉的复合式热场系统进行了优化设计,建立了不同条件下的理论模型,采用有限元数值模拟的方法分析了主加热器的延......
