高亮度场发射荧光灯的制备及其性能测试

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利用圆柱形结构的增强效应能提高丝状阴极场发射性能的这个特性,设计了场发射荧光灯。采用热敷法将配制好的碳纳米管(Carbon Nanotubes,CNT)浆料转移到镍丝(Ni)表面制备成丝状阴极,以及溶胶-凝胶法在圆柱形玻璃管内壁制备掺锡氧化铟(Indium Tin Oxide,ITO)薄膜作为阳极,制作场发射荧光灯。测试结果表明,该碳纳米管场发射荧光灯具有良好的场发射性能,开启电场低,仅为0.15 V/μm;CNT的场增强因子βCNT为1967;当驱动电压为4 000 V时,发光亮度达19 800cd/m
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