VLSI的SOI技术评价

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户：zxw123321

【摘要】

：

高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术超过本体硅技术的各种优点.还讨论了SOI 的CM

【作者】

：

Tsaur BY

【出处】

：

微电子学与计算机

【发表日期】

：

1990年3期

【关键词】

：

VLSI SOI技术集成电路

下载到本地 , 更方便阅读

下载此文赞助VIP

声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架

论文部分内容阅读

高性能、成本有效的SOI 技术在抗辐射电子学的短期应用和亚微米VLSI 的长期应用方面是重要的.本文概述了在这些应用方面,SOI 技术超过本体硅技术的各种优点.还讨论了SOI 的CMOS、CJFET 和双极器件结构.评述了束流再结晶和高剂量氧注入等最有希望的SOI 技术的现状和前景.并强调了材料质量和制造可靠性一类的问题.

其他文献

难熔金属钼的刻蚀

本文叙述了3μm 宽的钼栅图形的反应离子刻蚀(RIE)工艺并将其用于CMOS IC 的制备中.

期刊

难熔金属钼刻蚀反应离子刻蚀Refractory MetalRIEMo-film

在PC机上运用Markov过程实现预决策

本文在阐述Markov 过程数学模型的基础上,详细介绍了在PC 机上运用Markov 过程实现预测、决策所采用的算法及程序.

期刊

微机决策企业管理MARKOV过程Markov ProcessTransferfd Probability

第32届国际内科学会学术大会

第32届国际内科学会学术大会将于2014年10月24-28日于韩国首尔贸易展览中心（c0Ex）举行。国际内科学会学术大会是由1984年成立的国际内科学会（Intemational Society of Internal

期刊