【摘 要】
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用于倍频程带宽FET放大器的一种半集总元件阻抗匹配技术业已研究成功。集总元件是由在两块10mils厚的氧化铝衬底上腐蚀出的平行板电容器和高阻线实现的。用这种方法已研制出S
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用于倍频程带宽FET放大器的一种半集总元件阻抗匹配技术业已研究成功。集总元件是由在两块10mils厚的氧化铝衬底上腐蚀出的平行板电容器和高阻线实现的。用这种方法已研制出S～Ku波段各种低噪声和功率放大器。功率放大器在2～12GHz和4～18GHz频段功率增益4dB,输出功率大于0.5W。
A semi-lumped element impedance matching technique for octave bandwidth FET amplifiers has been studied. The lumped elements are realized by parallel plate capacitors and high resistance lines etched on two 10 mils thick alumina substrates. In this way, various low-noise and power amplifiers in the S-Ku band have been developed. Power amplifier in the 2 ~ 12GHz and 4 ~ 18GHz frequency band gain 4dB, the output power is greater than 0.5W.
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