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成功研制了栅长为0．15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2txm的InP基In0.52Al0.48As／In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件．室温下，当器件％s为1．7V、VGS为0．1V时，其有效跨导达到了1052mS／mm．传输线方法（TLM）测试显示器件的接触电阻为0．032Ω·mm，器件欧姆接触电阻率为1．03×10-7Ω·cm-2．正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻，进而使得有效跨导比较大．器件有比较好的射频特性．从100MHz到4