【摘 要】
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成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500
【机 构】
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中国科学院半导体研究所超晶格实验室,中国科学技术大学量子信息与量子科技前沿协同创新中心
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成功制备出2.6μmGaSb基I型InGaAsSb/AlGaAsSb量子阱高功率半导体激光器.利用分子束外延设备（MBE）生长出器件的材料结构.为了得到更好的光学质量,将量子阱的生长温度优化至500℃,并将量子阱的压应变调节为1.3%.制备了脊宽100μm、腔长1.5mm的激光单管器件.在未镀膜下该激光器实现了最大328mW室温连续工作,阈值电流密度为402A/cm~2,在脉冲工作模式下,功率达到700mW.
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