【摘 要】
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SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，HVIC）因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOI HVIC的核心器件，SOI横
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SOI（Silicon On Insulator）高压集成电路（High Voltage Integrated Circuit，HVIC）因其具有高速、低功耗、抗辐照以及易于隔离等优点而得以广泛应用。作为SOI HVIC的核心器件，SOI横向高压器件较低的纵向击穿电压，限制了其在高压功率集成电路中的应用。为此，国内外众多学者提出了一系列新结构以提高SOI横向高压器件的纵向耐压。但迄今为止，SOI横向高压器件均采用Si02作为埋层，且实用SOI器件击穿电压不超过600V;同时，就SOI横向器件的电场分布和耐
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