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光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级
光激电流法测量掺锗CZSi中的深能级
来源 :人工晶体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户:sl2319
【摘 要】
:
用光激电流法研究了Ge作为杂质掺入到Si中可能引入的深能级,发现掺锗量小于或等于1.0wt%(重量比)时,不会在CZSi中引入与锗有关的深能级;锗的引入硅中点缺陷的深度。
【作 者】
:
张维连
闫书霞
冀志江
【机 构】
:
河北工业大学材料研究中心,河北建筑工程学院
【出 处】
:
人工晶体学报
【发表日期】
:
1996年3期
【关键词】
:
等电子掺杂
深能级
光激电流法
掺锗
硅晶体
isoelectronic doping
CZSi
deep level
light excited curren
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用光激电流法研究了Ge作为杂质掺入到Si中可能引入的深能级,发现掺锗量小于或等于1.0wt%(重量比)时,不会在CZSi中引入与锗有关的深能级;锗的引入硅中点缺陷的深度。
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