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采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米管阴极场发射性能会有一定程度的提高,同时场发射性能的稳定性增加;阴阳极距离15μm时,碳纳米管具有最好的场发射性能。
碳纳米管场发射测试方法对其性能的影响
【摘 要】
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采用丝网印刷技术在金属基片上制备碳纳米管列阵薄膜,应用二极管结构对其场发射性能进行测试,并分析影响碳纳米管阴极场发射性能的因素。结果表明,随着测试次数的增加,碳纳米
【机 构】
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电磁防护技术山西省重点实验室,山西大学化学与化工学院,中国电子科技集团第三十三研究所电磁防护与器件事业部
【出 处】
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应用化工
【发表日期】
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2016年6期
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