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本文叙述了硅单晶电阻率标准样片制备工艺中所采取的几项措施,着重讨论了标准测量装置的组成和标准样片定标方法的选择依据及其误差分析。给出本项标准实际达到的主要技术指标及其与美国国家标准局同类标准样片的比较结果。
半导体硅单晶电阻率标准
【摘 要】
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本文叙述了硅单晶电阻率标准样片制备工艺中所采取的几项措施,着重讨论了标准测量装置的组成和标准样片定标方法的选择依据及其误差分析。给出本项标准实际达到的主要技术指
【出 处】
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计量学报
【发表日期】
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1986年04期
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