【摘 要】
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综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素，如场强及分布等。结
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综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜横向结晶的诸多影响因素，如场强及分布等。结果表明，相对于无电场时，适当强度的电场可显著加快金属诱导横向结晶的速率，场强超过某一临界值则降低该速率，并基于电迁移效应作了较好的解释。对Cu诱导a-Si薄膜横向结晶，在同样条件下，直交流混合电场比单纯的直流电场能引发更高的结晶速率。
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