金属诱导横向结晶相关论文
低温制备的多晶Si、SiGe薄膜在大面积电子器件中具有广阔的应用前景,由于其与非晶Si、SiGe薄膜材料相比具有更高的载流子迁移率,尤......
研究了利用低压化学气相沉积(LPCVD)和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge/Si量子点多层异质结构.首先在SiO2/Si(100)衬底上LPCVD生......
分析了金属Ni、Al诱导非晶Si及非晶SiGe薄膜结晶的条件、特点和机理。简要介绍了金属诱导结晶相对于其它一些结晶工艺的优势及其在......
在外加直流电场作用下，Ni诱导非晶硅（a-Si）薄膜发生横向结晶。影响Ni诱导a-Si薄膜横向结晶的因素有很多，如场强、反应以及退火条件等。......
研究了热载流子应力下耗尽区调制效应对氢化金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热产生漏电的影响.从理论上论证了热载流子应力下氢......
研究了利用低压化学气相沉积（LPCVD）和金属诱导横向结晶技术制备高密度Ge／Si量子点多层异质结构．首先在SiO2／Si（100）衬底上LPCVD生长了高......
低温多晶硅薄膜晶体管（LTPS TFT）广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面，研究了热载流子（HC）应力下，N型金属诱导横向结晶（MILC） LTPST ......
本文分析了Al和Ni在外加电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。对影响非晶硅结晶的诸多因素,如场强、金属种类和退......
综述了Al和Ni在外加直流电场以及Cu在交流电场作用下诱导非晶硅（a-Si）薄膜横向结晶的特点和机理。研究了外加电场对金属诱导a-Si薄膜......
本文主要研究了金属诱导横向结晶n型多晶硅薄膜晶体管在热载流子(hot carrier, HC)应力下的漏电特性,以及其所对应的物理机制;并确......
本文主要研究了氢化对n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子退化的影响。主要包括转移特性的退化和输出特性的退化两部分......
本文分别研究了的n型金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力和栅极施加脉冲应力下的退化和机制分析。具体研究了器件......
