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为 HXeI 分子的电子基态的势能表面被与方法和大基础设置的戴维森修正(icMRCI + Q ) 使用内部收缩的多参考构形相互作用构造。稳定性和分离障碍从势能表面被识别。三身体的分离隧道被发现是为 HXeI 的 dominate 分离隧道。基于获得的潜力， HXeI 的振动能层次用 Lanczos 算法被计算。我们的理论结果在对可得到的观测值的优秀同意。